名称：脉冲等离子体沉积
型号：Pulsed Plasma Deposition, PPD)
原产国：意大利

设备简介
    脉冲等离子体沉积(PPD),也称脉冲电子束沉积(PED),未来将取代脉冲激光沉积(PLD)的新一代系统.  由中空阴极管中的长管（通道）产生等离子体的毫微秒脉冲，轰击消融旋转的靶材使靶材蒸气沉积在加热衬底上（最大1000 °C）而形成薄膜。这套系统结构简单耐用，比脉冲激光沉积设备安装简单，运营成本低，能量消耗特别低，也可以制备传统技术不能制备的材料的薄膜，可生长多种复合材料的高质量薄膜。
    应用领域：OLED，高温超导材料如YBCO，巨磁阻的铁磁体如LSMO，金属，半导体，高非导电绝缘体，过渡层，硬质涂层，太阳能电池，透明导电氧化物（TCO），超高温材料，聚四氟乙烯 
    有机分子束沉积(OMBD) 设备和有机克努森池(Organic Knudsen Cell):  自旋电子学是信息通过载流子自旋传输的一门新学科。由于有机半导体的散射速率比无机半导体的要小几个数量级，因此特别适合于自旋极化的传输。目前有机电子学是自旋电子学的一个新的领域，其中的自旋器件由有机半导体和磁性金属组成，用OMBD制备的有机半导体和磁性金属的结合可实现低散射速率和室温操作。我们提供生长有机薄膜的元件有高真空和超高真空有机克努森池，专利的加热元件经过优化产生极均匀和恒定的分子流量，对外部周围环境具有低的热传导；对温度梯度断面得仔细设计排除了有机物在出口孔处的凝结；三层钽加热屏提供了非常有效的热屏蔽。 
    应用领域： OLED，有机自旋电子学，有机半导体，有机绝缘体，磁传感器, 非易失性存储元件，逻辑自旋器件(自旋场效应晶体管)
脉冲等离子体沉积（PPD）技术参数
腔体：
圆锥形的沉积腔，DN320法兰，180 mm样品处理的快速ID端口，操作压力：1 x10-5 ~ 5 x10-2 mbar 附有磁驱动窗板的铅玻璃DN100视窗，推拉传动台的样品窗板，
靶材：
1英寸直径的旋转靶材，4个1英寸直径的靶材（选配），旋转速度：0~30转/分
气体管： 质量流量控制器：2~100 scc/min，单通道显示和控制
衬底：最大加热温度900oC，温度均匀性：>1%，表面直径：25mm，可调节的支撑结构，K型热偶
真空系统：抽速70 l/s的涡轮分子泵，抽速16 m3/h的捕获机械泵，CF64手动闸板阀，放气阀，Pirani/Penning真空规
电子束源：DC电压，3~20 kV，最大功率密度：500 MW/cm2，脉冲频率：0.01~ 6 Hz (可选30 Hz)，消融深度：1~2 um
进气量：2~100 scc/min
系统框架：有水平仪的Bosch Al外形，宽x长x高：1165mm x 585mm x 1170±50mm，电源：单相交流电230V，50Hz，20A
有机克努森池(Organic Knudsen Cell):
工作压力：10^-3 - 10^-7mbar （高真空），10^-7 - 10^-11mbar（超高真空）最大工作温度：1000°C
脱气温度：1100°C 池的尺寸：高35mm，总高67.5mm（高真空）或165mm（超高真空），直径：25mm
坩埚材料：石英 坩埚容量：0.85cm3 热偶：K型铬镍铝镍热电偶 池身：不锈钢
加热器：钽丝 加热元件：氮化硼 最大电流：4A 温度的稳定性：可达0.1%
输入电压：220V，50-60Hz 输出电压：最大10V 最大直流电流：10A
脉冲等离子体沉积系统(PPD or PED)的主要特点
（1）宽沉积速率动力学范围：为0.005 ~ 10 nm/s 
（2）很宽的操作真空条件：10^–1 ~ 10^-5 mbar
（3）真空系统多用，结构耐用，效率高，用户界面友好
（4）可在2英寸,4英寸或更大衬底上沉积薄膜
（5）配多个等离子体管做多层薄膜沉积优势明显(比较脉冲激光沉积设备),成本低廉,沉积速度快
（6）脉冲等离子体方便调节,是做薄膜掺杂的有力手段