名称：等离子增强化学气相沉积设备
型号：PECVD
原产国：美国
简介：该PECVD可以升级到PECVD & 反应离子蚀刻双功能系统(带ICP源)。该PECVD系统可以沉积高质量SiO2薄膜、Si3N4薄膜、类金刚石薄膜、硬质薄膜、光学薄膜等。可选用射频(RF)、空阴极高密度等离子体(HCD)源、感应耦合等离子体（ICP）源。最大沉积尺寸为8英寸。

等离子源：
5英寸或8英寸多喷头平面中空阴离子源；
600瓦水冷；
Fractal monometer and carrier gas freed；
高密度等离子10¹³ ions/cc；
均匀性好，低污染；
应用领域：
等离子诱导表面改性(Plasma Induced Surface Modifications)；
等离子清洗(NF3)；
等离子反应离子蚀刻(Plasma Reactive Ion Etching)；
等离子聚合(Plasma Polymerization)；
等离子增强化学气相沉积(PECVD)；
SiO2, Si3N4, DLC及其它硬质薄膜；
设备规格：
计算机控制的高品质沉积设备；
射频花洒喷头及等离子源；
最大可沉积8英寸直径的薄膜；
RF偏置基底夹具；
水冷平板(water cooled platen)；
一路载气和两路反应气通过流量计控制流量；
分子涡轮泵；
基本真空度10^-7 Torr；
空气控制阀；
设备参数：
平板尺寸(Platen size)                      8英寸
源直径(Source diameter)                    5英寸或8英寸
气路数(No. of gas feeds)                   4(2反应气，1载气，1排气)
源到平板距离(Source to platen distance)    2英寸或可以调节
最高平板温度(Max. platen temp.)            400℃
射频电源(RF power supply source)           600瓦，13.5 MHz
射频偏置(RF bias)                          300瓦，13.5 MHz
选配项目：
可升级到PECVD & 反应离子蚀刻(Reactive Ion Etching,RIE)双功能系统；


5英寸或8英寸等离子源；
电抛光不锈钢腔体；
热台(heated platen)；
带有5英寸视窗的门(晶片装载及取出)；
装载锁(load lock)；
高度调整平板；
 
腐蚀泵包(corrosive pump package)；
增加气路，加热气路；
HMDS或加热液体传输系统；
1kw射频源；
脉冲直流电源；
兰缪尔探针(Langmuir probe)；